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Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa–Va a alta presión

dc.contributor.advisorMuñoz González, Alfonso 
dc.contributor.advisorNeeds, Richard J.
dc.contributor.authorMújica Fernaud, Andrés 
dc.date.accessioned2019-01-22T10:12:50Z
dc.date.available2019-01-22T10:12:50Z
dc.date.issued2000
dc.identifier.urihttp://riull.ull.es/xmlui/handle/915/12344
dc.description.abstractSe estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.es_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoes
dc.publisherUniversidad de La Laguna, Servicio de Publicacioneses_ES
dc.rightsLicencia Creative Commons (Reconocimiento-No comercial-Sin obras derivadas 4.0 internacional)
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.es_ES
dc.titleEstabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa–Va a alta presiónes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.subject.keywordAlta presiónes_ES
dc.subject.keywordSemiconductoreses_ES


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Nombre:
cp129.pdf
Tamaño:
2.408Mb
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PDF
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  • TD. Ciencias
    Tesis de Matemáticas, Física, Química, Biología, etc.

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