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Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa–Va a alta presión
dc.contributor.advisor | Muñoz González, Alfonso | |
dc.contributor.advisor | Needs, Richard J. | |
dc.contributor.author | Mújica Fernaud, Andrés | |
dc.date.accessioned | 2019-01-22T10:12:50Z | |
dc.date.available | 2019-01-22T10:12:50Z | |
dc.date.issued | 2000 | |
dc.identifier.uri | http://riull.ull.es/xmlui/handle/915/12344 | |
dc.description.abstract | Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas. | es_ES |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | es | |
dc.publisher | Universidad de La Laguna, Servicio de Publicaciones | es_ES |
dc.rights | Licencia Creative Commons (Reconocimiento-No comercial-Sin obras derivadas 4.0 internacional) | |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.es_ES | |
dc.title | Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa–Va a alta presión | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis | |
dc.subject.keyword | Alta presión | es_ES |
dc.subject.keyword | Semiconductores | es_ES |
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Tesis de Matemáticas, Física, Química, Biología, etc.